快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
2017-09-08
中国电源产业网
导语：
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年9月7日 – 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用。
LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号，并快速驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最大值) 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7004 在 3.5V 至 15V 驱动器偏置电源范围内运行，具可调欠压闭锁。当驱动 1000pF 负载时，很短的 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。
LTC7004 采用 MSOP-10 封装，具有针对高压间隔配置的引脚。该器件有 3 种工作结温范围，扩展和工业级版本的范围为–40°C 至 125°C，高温汽车级版本的范围为–40°C 至 150°C，军用级的范围为–55°C 至 125°C。千片批量的起始价为每片2.05美元。如需更多信息，请登录www.linear.com.cn/product/LTC7004。
性能概要：LTC7004
• 宽 VIN工作范围：0V 至 60V (65V 绝对最大值)
• 内部充电泵提供100% 占空比能力
• 1Ω 下拉、2.2Ω 上拉电阻实现很短的接通和断开时间
• 很短的 35ns 传播延迟
• 可调的接通转换率
• 3.5V 至 15V 栅极驱动器电源
• 可调驱动器电源VCC欠压闭锁
• 可调VIN过压闭锁
• CMOS 兼容输入
本文给出的报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。
3月10日，ADI完成对卓越的高性能模拟集成电路公司凌力尔特之收购。收购凌力尔特之后，ADI 进一步增强了技术实力。有关此次收购的详情，请登录http://lt.linear.com/07c。
Analog Devices 公司简介
Analog Devices, Inc. (纳斯达克股票代码：ADI) 是全球领先的高性能模拟技术公司，致力于解决最棘手的工程设计难题。我们使客户能够利用无与伦比的技术进行检测、测量、供电、连接和解读，智能地在现实和数字领域之间架起桥梁，从而了解我们周围的世界。详情请浏览www.analog.com/cn。
编辑：电源门户网
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