半桥电路的死区时间
2021-06-02
中国电源产业网
导语：北京落木源电子技术有限公司是国内最早从事IGBT驱动技术开发的公司，我们的发明专利始于1995年，现有各类IGBT/MOSFET驱动产品百余种，覆盖低端到高端、尖端各种应用，在国内外有客户数千家，是顶尖的IGBT/MOSFET驱动技术解决方案供应商。
如图a，为保证电路正常工作，Q1Q2不能同时导通，其中一个MOS管开通时，另一个mos管必然关闭。在Q1Q2同时关闭的这段时间叫死区时间。
如图b，开始Q1为高，Q2为低，阴影部分Td1是Q1的死区时间，在这段时间内，两个管子都不通，经过时间Td1，Q1导通；
随后Q1关闭，这时候Q2也是关闭的，阴影部分Td2是Q2的死区时间，经过时间Td2，Q2开始导通。
所以死区时间有两个，即上桥臂的死区时间Td1和下桥臂的死区时间Td2。
2.死区时间过大或过小有什么不好？
死区时间过大，电路工作更加可靠，但会带来输出波形的失真及降低输出效率；
死区时间过小，输出波形要好一些，只是会降低可靠性，甚至上下桥臂直通，导致管子炸裂。
3.决定死区时间的因素有哪些呢？
a.开关管的关断延迟时间；
b.开关管的开通延迟时间；
c.驱动信号的传输延迟时间。
4.怎样计算死区时间？
参考公式如下:
Td=[（td_off_max - td_on_min）+
（tpdd_max - tpdd_min）]*1.2
其中，
td_off_max：最大关断延迟时间。
td_on_min：最小开通延迟时间。
tpdd_max：驱动器最大传输延迟时间。
tpdd_min：驱动器最小传输延迟时间。
1.2：安全裕度。
(td_off_max-td_on_min）为最大关断延迟时间和最小开通延迟时间之差。这一项主要描述MOS管结合所用的门极电阻的特性。由于上升和下降时间通常比延迟时间短很多，这里就不考虑它们。
(tpdd_max-tpdd_min）为由驱动器决定的传输延迟时间之差。该参数可通过原厂规格书查看。对于基于光耦的驱动器，该参数值通常很大。
编辑：中国电源产业网
来源：《电源工业》编辑部
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