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尽显创新实力|天科合达全球首发8英寸低电阻碳化硅衬底

2025-09-25

中国电源产业网

导语：天科合达不仅全球首发了8英寸低电阻导电衬底，同时还在8英寸100微米厚外延片和12英寸晶体生长技术上取得了并行突破。

2025年9月14-19日，国际碳化硅及相关材料会议（ICSCRM）在韩国釜山盛大举行。作为全球碳化硅材料技术领域的盛会，此次展会汇聚了来自全球产业链的核心企业与顶尖科研机构。天科合达以创新产品和前沿技术成果精彩亮相国际会议现场，再次向世界展现了中国碳化硅材料领域的领先实力与创新活力。

天科合达8英寸低电阻碳化硅衬底

展会上，天科合达全球首次公开发布了8英寸低电阻碳化硅衬底，成为全场瞩目的技术焦点。该低电阻衬底可将电阻率控制在7-12mΩ·cm范围内，仅为常规N型衬底电阻率的一半。层错缺陷控制是低电阻产品研发中的关键挑战，天科合达科研团队经过持续技术攻关，成功解决了低电阻率条件下层错缺陷密度过高的行业难题。低电阻率衬底是充分释放碳化硅功率器件性能潜力的关键技术之一。据研究人员测算，衬底电阻每降低1mΩ·cm，器件导通电阻可相应降低2–4%，从而显著减少大电流应用中的能量损耗，为800V电驱系统、高压快充、轨道交通、智能电网等高端应用场景提供坚实支撑。天科合达将率先在全球范围内推动该低电阻衬底的送样工作，助力客户提升产品性能。

天科合达不仅全球首发了8英寸低电阻导电衬底，同时还在8英寸100微米厚外延片和12英寸晶体生长技术上取得了并行突破。

天科合达董事、副总经理、首席技术官刘春俊博士在Industrial Session上介绍8英寸&12英寸产品进展

碳化硅衬底累计销量突破100万片，成就全球市场重要里程碑。

借此国际展会，天科合达郑重宣布：公司碳化硅衬底全球累计销量已突破100万片，成为中国首家实现这一里程碑的碳化硅材料企业。这一成绩不仅体现了客户对天科合达产品的高度认可，更彰显了公司在全球碳化硅供应链中日益重要的地位。

天科合达始终坚持以技术创新驱动发展，以客户需求为导向。未来，公司将持续加大对碳化硅材料研发的投入，不断推进8英寸及12英寸产品的量产进程，携手全球伙伴共同推动第三代半导体行业的革新与进步。

编辑：电源产业网

来源：《电源工业》编辑部

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